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KC- 3105 功率半導體器件動態可靠性 HTRB/DHTRB測試系統
KC- 3105 功率半導體器件動態可靠性 HTRB/DHTRB測試系統
02月29日
現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應，AQG324 該規定了動態偏置試驗，即動態高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）
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