多通道絕緣電阻測試設備
了解更多設備簡介1.產品位置糾偏抓取,自動識別正反;2.自動測試,良品/不良品分類;3.換產只需更換對應的工裝;4.儀器功能可拓展;5.絕緣電阻≥1X109/Q,DC500V;
IGCT自動測試系統
了解更多設備簡介IGCT(IntergratedGateCommutatedThyristors)是在晶閘管技術的基礎上結合IGBT和GTO等技術開發的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
功率半導體高精度靜態特性測試系統(實驗室)
了解更多KC3110功率半導體高精度靜態特性測試系統,基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。本系統可以在3KV和1000/2000A的條件下實現精確測量和參數分析,漏電流測試分辨率高達fA級,電壓測試分阱率最高可這nV級,以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件,圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結構設計預留升級擴展潛能。測試接口可外掛各類夾具和適配器,還能夠通過專用接口連接各種Handler:如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
功率半導體動態參數測試系統
了解更多設備簡介KC3120功率半導體動態參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態參數測試,如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達到對應測試內容,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數、 讀取保存測試結果。
功率半導體高精度靜態特性測試系統(生產端)
了解更多設備簡介KC3111功率半導體高精度靜態特性測試系統(面向工廠生產端),基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。脈沖信號源輸出方面,高壓源標配2000V(選配3.5KV),高流源標配1KA(選配4KA多模塊并聯),柵極電壓30V。采用多量程設計架構,各量程下均可保證0.1%精度,具有uΩ級精確測量,pA 級漏電流測量能力。全自動程控軟件,圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結構設計預留升級擴展潛能。測試接口可外掛各類夾具和適配器,還能夠通過專用接口連接各種Handler:如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
第三代功率半導體器件動態可靠性測試系統
了解更多KC-3105 測試系統中可同時完成HTRB和DHTRB測試,整體架構模塊化,通訊協議、通訊接口等采用統一標準,便于后期擴展和維護。該系統集成度高、應用覆蓋面廣,系統采用軟、硬件一體化設計且功能豐富,在保證系統穩定運行的同時,可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。